QANTEK晶振,高性能石英晶體,QTC4晶振.32.768K系列具有超小型,薄型,質(zhì)地輕的表面貼片音叉型石英晶體諧振器,晶振產(chǎn)品本身具備優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,在辦公自動化,家電領域,移動通信領域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,符合無鉛標準,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求,金屬外殼的石英晶振使得產(chǎn)品在封裝時能發(fā)揮比陶瓷晶振外殼更好的耐沖擊性能.
QANTEK的頻率管理組件產(chǎn)品系列因其可靠性,耐用性和性能而廣受認可.我們的產(chǎn)品制造符合國際標準和規(guī)格.因此,每一臺QANTEK晶振產(chǎn)品都能達到您的期望和超越.此外,我們不斷擴大和升級我們的生產(chǎn)流程,以確保利用新技術(shù)來保護和永久改善產(chǎn)品性能和完整性.我們的持續(xù)增長和極高的客戶保留水平證明了這一承諾.
晶振的真空封裝技術(shù):是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進行封裝.1.防止外界氣體進入組件體內(nèi)受到污染和增加應力的產(chǎn)生;2.使晶振組件在真空下電阻減小;3.氣密性高.此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英貼片晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一.
QANTEK晶振 |
單位 |
QTC4晶振 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
32.768KHZ |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-55℃~+125℃ |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40℃~+85℃ |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
1.0μW Max. |
推薦:10μW |
頻率公差 |
f_— l |
±20ppm |
+25°C對于超出標準的規(guī)格說明,
請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://m.clreny.com.cn/
|
頻率溫度特征 |
f_tem |
30 × 10-6,±50 × 10-6 |
超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負載電容 |
CL |
7.0pF 9.0pF 12.5pF |
不同負載要求,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±3× 10-6/year Max. |
+25°C,第一年 |
負載電容
振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過強力調(diào)整,可能只會導致不正常的振蕩.在使用之前,請指明該振動電路的負載電容(請參閱“負載電容”章節(jié)內(nèi)容).
晶體振蕩器和實時時鐘模塊
所有石英晶體振蕩器和實時時鐘模塊都以IC形式提供.
存儲事項
(1)在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時間保存無源晶振產(chǎn)品時,會影響頻率穩(wěn)定性或焊接性.請在正常溫度和濕度環(huán)境下保存這些晶體產(chǎn)品,并在開封后盡可能進行安裝,以免長期儲藏.正常溫度和濕度:溫度:+15°C至+35°C,濕度25%RH至85%RH(請參閱“測試點JISC60068-1/IEC60068-1的標準條件”章節(jié)內(nèi)容).
(2)請仔細處理內(nèi)外盒與卷帶.外部壓力會導致卷帶受到損壞.
耐焊性
加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產(chǎn)品特性或損害諧振器.如需在+150°C以上焊接晶體產(chǎn)品,建議使用SMD晶體.在下列回流條件下,對晶體產(chǎn)品甚至4.1x1.5晶振使用更高溫度,會破壞產(chǎn)品特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些產(chǎn)品之前,應檢查焊接溫度和時間.同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查.如果需要焊接的晶體產(chǎn)品在下列配置條件下進行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息.
自動安裝時的沖擊
自動安裝和真空化引發(fā)的沖擊會破壞產(chǎn)品特性并影響這些進口晶體振蕩器.請設置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對產(chǎn)品特性產(chǎn)生影響.條件改變時,請重新檢查安裝條件.同時,在安裝前后,請確保石英貼片晶振未撞擊機器或其他電路板等.